Тендер: СЧ ОКР «Моделирование условий эпитаксиального роста макетных образцов А3N гетероструктур на подложках кремния и карбида кремния для GaN транзисторов
Начальная цена
1 600 000 ₽
Организатор закупки
Место поставки
г. Санкт-Петербург
,
Санкт-Петербург город
Завершён
06.03.2026 10:47
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
, Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика), участниками которого могут быть только субъекты малого и среднего предпринимательства
Ссылки на источники
- 223-ФЗ ЕИС 32615776999
Документация
Заказчик
Наименование
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
ИНН
7802030940
КПП
780201001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
| Наименование | Место поставки |
|
|---|
:
:
Тендер: СЧ ОКР «Моделирование условий эпитаксиального роста макетных образцов А3N гетероструктур на подложках кремния и карбида кремния для GaN транзисторов
Тендер: СЧ ОКР «Моделирование условий эпитаксиального роста макетных образцов А3N гетероструктур на подложках кремния и карбида кремния для GaN транзисторов at
г. Санкт-Петербург, Санкт-Петербург город, Russia, RU
Санкт-Петербург город
Планирование и проведение научных исследований и разработок
Предмет тендера: СЧ ОКР «Моделирование условий эпитаксиального роста макетных образцов А3N гетероструктур на подложках кремния и карбида кремния для GaN транзисторов.
Цена: 1600000 руб.